반도체장치와그제조방법

Integrated circuit device with inductor incorporated therein

Abstract

본 발명은 적어도 하나의 인덕터(inductor)가 집적된, 실리콘 기판상에 형성된 반도체 장치에 관한 것이다. 기판에 형성된 다공성 실리콘(porous silicon)의 영역상에 인덕터가 형성된다. 다공성 실리콘은 기판에 대한 인덕터의 용량성 및 유도성 결합을 감소시킨다. 따라서, 본 발명에 의해 집적된 인덕터는 높은 공진 주파수(resonance frequency)(즉, 2 GHz 이상)에서 종래의 인덕터보다 높은 인덕턴스를 가질 수 있다. 이러한 주파수에서 동작하는 인덕터를 구비한 장치는 무선 응용 분야에 바람직하다. 또한, 본 발명은 양극 산화 기법(annodization technique)을 이용하여 다공성 실리콘을 형성하는 장치의 제조 방법에 관한 것이며, 이렇게 형성된 다공성 실리콘은 나머지 공정 동안 본질적으로 산화되지 않은 상태(unoxidized state)로 유지된다.

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