Thin-film magnetic memory device with memory cells having magnetic tunnel junction

자기 터널 접합을 갖는 메모리 셀을 구비한 박막 자성체기억 장치

Abstract

본 발명에 따르면, 메모리 어레이(10)는 m행×n열의 복수개의 메모리 셀 블록(50)으로 분할된다. 라이트 디지트선(WDL)은 각 메모리 셀 블록마다 독립적으로, 각 메모리 셀 행마다 분할된다. 각 라이트 디지트선(WDL)은 라이트 디지트선(WDL)과 계층적으로, 행방향으로 인접하는 복수개의 서브 블록에 대하여 공통적으로 배치되는 메인 워드선(MWL) 및 세그먼트 디코드선(SGDL)에 의해 전달되는 정보에 따라 선택적으로 활성화된다. 행방향의 데이터 기입 전류는 선택 메모리 셀 블록에 대응하는 라이트 디지트선(WDL)에서만 흘려지므로, 비선택 메모리 셀에 대한 데이터 오기입의 발생을 억제할 수 있다. MRAM 디바이스, 자기 터널 접합, 메모리 셀, 박막 자성체, 비선택 메모리 셀, 선택 메모리 블록

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