Manufacturing method of semiconductor device having copper pad

구리 패드를 갖는 반도체 소자의 제조방법

Abstract

본 발명은 반도체 기판 상에 콘택홀을 갖는 층간 절연막을 형성한 후, 상기 콘택홀에 매몰되는 구리층을 형성한다. 상기 구리층이 형성된 반도체 기판의 전면에 상기 구리층과 반응하여 합금을 형성할 수 있게 알루미늄 또는 실리콘으로 이루어진 물질층을 형성한다. 상기 구리층 상에 물질층이 형성된 반도체 기판을 어닐링을 실시하여 Al 2 Cu 또는 구리 실리사이드로 이루어진 구리 합금으로 보호층을 형성한다. 상기 층간 절연막 상에 형성된 물질층을 제거하여 상기 구리층 및 보호층으로 이루어진 구리 패드를 형성한다. 이와 같이 제조되는 본 발명의 반도체 소자의 구리 패드는 표면에 보호층이 형성되어 산화를 방지할 수 있다.

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