패턴 형성 방법 및 그것을 이용한 반도체 장치의 제조 방법

Abstract

반도체 기체 상의 피가공층(13) 위에, 레지스트를 패터닝하여 제1 패턴층(14a)을 형성한다. 레지스트 패턴을 형성한 후, 제1 패턴층(14a)을 부가 처리에 의해 작게 한다. 다음으로, 제1 패턴층(14a) 사이에 내에칭성이 비교적 큰 재료를 이용하여 매립막(15)을 형성한 후, 평탄화 처리를 행한 후, 제1 패턴층(14a)을 제거한다. 이에 의해, 제2 패턴층(15a)이 잔존한다. 이 제2 패턴층을 사용하여, 기초의 피가공층(13)을 에칭한다. 또한, 기초의 피가공층(13)을 마스크로 하여, 예를 들면 Al막(12)을 에칭한다. 에너지 빔, 드라이 에칭, 베이킹

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