Semiconductor process chamber electrode and method for making the same

반도체 처리실 전극체 및 그 제조방법

Abstract

본 발명은 플라즈마 에칭동작을 통해 반도체 웨이퍼를 처리하기 위한 시스템을 제공한다. 상기 시스템은 반도체 웨이퍼를 지지하기 위한 지지척과 1쌍의 RF전원을 포함한 처리실을 갖춘다. 또 다른 경우에 있어서, 상기 시스템은 전극체가 그라운드 되고 1쌍의 RF 주파수가 지지척(하부 전극체)에 공급되도록 구성될 수 있다. 따라서, 상기 시스템은 시스템 내 및 반도체 웨이퍼 상에 위치된 전극체를 포함한다. 전극체는 중심영역, 제1표면 및 제2표면을 갖춘다. 제1표면은 시스템 외부에 있는 소스로부터 처리가스를 받고, 이 처리가스가 중심영역으로 흐르도록 구성된다. 제2표면은 다수의 가스 공급구멍의 가스 공급구멍 직경보다 큰 전극체 개구 직경을 갖는 대응하는 다수의 전극체 개구에 연속적으로 결합된 다수의 가스 공급구멍을 갖춘다. 다수의 전극체 개구는 반도체 웨이퍼의 웨이퍼 표면 상에 정의된 전극체 표면을 정의하기 위해 구성된다. 웨이퍼 표면 상에 바이어스 전압의 이동을 야기하기 위해 전극체 플라즈마 외장을 증가시키는데 전극체 표면이 도움을 줌으로써, 플라즈마 밀도를 증가시키지 않고 웨이퍼 상에 이온 충격에너지를 증가시킨다.

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