비휘발성 반도체 기억장치 및 행라인 단락 불량 검출방법

Nonvolatile semiconductor storage device and row-line short defect detection method

Abstract

메모리 어레이(1)의 복수의 행라인의 일부를 선택하고, 선택된 행라인에 기타 행라인에 대한 전압 레벨과 다른 전압 레벨을 선택적으로 제공하는 행 디코더 회로(2)에 전류 경로 분리 회로가 설치된다. 통상의 동작 모드와 다른 테스트 모드시에, 전류 경로 분리 회로는 전류 경로를 선택된 행라인을 통해 흐르는 전류에 대한 제1 전류 경로와 행라인을 통해 흐르지 않고 행 디코더 회로를 통해 흐르는 전류에 대한 제2 전류 경로로 장치내에서 분리한다. 분리된 전류 경로는 테스트용 전압원으로부터 선택된 행라인으로 테스트용 전압을 공급하기 위해 형성된다. 테스트용 전압원으로부터 공급된 테스트용 전압을 각각 받기 위한 외부 접속용 패드(7a, 7b)로서 두개의 패드가 설치되며, 여기서, 두개의 패드 중 하나(7a)는 제1 전류 경로에 대응하고, 두개의 패드 중 다른 하나(7b)는 제2 전류 경로에 대응한다. 따라서, 이는 테스트 시간을 단축하면서도 불량품을 정확하게 선별할 수 있는 누설 행 측정 기능을 제공할 수 있다.

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