Method of manufacturing semiconductor device

반도체 디바이스 제조방법

Abstract

적어도 하나의 절연막이 500μm 2 이상의 표면적을 갖고 또한 배선폭이 1.0μm 이하의 1조의 도전부를 갖는 다층 배선구조의 반도체 디바이스의 제조방법은, 화학기계연마에 의해서 절연막 표면을 평탄화하기 위한 연마공정(501)과, 평탄화된 절연막표면을 세정약액으로 세정하기 위한 약액 세정공정(502)과, 상기 세정약액을 린스액에 의해서 제거하기 위한 린스공정(503)을 포함한다. 상기 린스공정에서는 용존산소 농도가 6중량ppm 이하로 억제된 물을 린스액으로서 사용한다. 반도체 디바이스 제조방법, 반도체 디바이스, 용존산소 농도

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